| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
TK2Q60D | Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件:1.58274 Mbytes 页数:73 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | |
TK2Q60D | Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity:N-ch\nGeneration:π-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:中国 / 日本 Drain current ID 2 A \nPower Dissipation PD 60 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ; | Toshiba 东芝 | Toshiba | |
TO-220 | TOSHIBA/东芝 上传:深圳庞田科技有限公司 | TOSHIBA/东芝 | ||
TO-247 | TOSHIBA/东芝 上传:深圳庞田科技有限公司 | TOSHIBA/东芝 | ||
DIP | 台湾佰一 | 台湾佰一 |
技术参数
- Polarity:
N-ch
- VDSS(V):
600
- VGSS(V):
+/-30
- ID(A):
2.0
- PD(W):
60
- Ciss(pF):
280
- Qg(nC):
7.0
- =10V:
4.3
- Number of pins:
3
- Surface mount package:
N
- Package name(Toshiba):
New PW-Mold2
- Generation:
π-MOSⅦ
- Width×Length×Height(mm):
6.5 x 5.5 x 2.3
- Package Size(mm^2):
35.75
- Drive voltage type:
10V Gate Drive
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Toshiba |
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TO-251 |
12000 |
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