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TK290A60Y	文件：442.51 Kbytes Page：10 Pages	丝印：K290A60Y；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.23 Ω (typ.) by using Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: Vth = 3 to 4 V (VDS = 10 V, ID = 0.45mA) 文件：442.51 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK290A60Y	文件：343.53 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：343.53 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK290A60Y	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅤ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 Drain current ID 11.5 A \nPower Dissipation PD 35 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
ITK290A60Y	文件：343.53 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：343.53 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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更多TK290A60Y供应商更新时间2026-1-23 10:59:00