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TK25S06N1L	文件：279.29 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS??H) 1. Applications • Automotive • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 15 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) (3) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V) (4) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 文件：279.29 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK25S06N1L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V) Application Scope：Motor drivers / Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅧ-H\nAEC-Q101：Conform\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Drain current ID 25 A \nPower Dissipation PD 57 W \nDrain-Source voltage VDSS 60 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TK2P60D(TE16L1,NQ)	文件：0 bytes Page：0 Pages	DPAK	TOSHIBA/东芝上传：深圳市鼎欣微电子有限公司	TOSHIBA/东芝
TK2P60DTE16L1NQ	文件：0 bytes Page：0 Pages	DPAK	TOSHIBA/东芝上传：深圳市鼎欣微电子有限公司	TOSHIBA/东芝
TK31A60W其他被动元件	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	TOSHIBA/东芝上传：深圳庞田科技有限公司	TOSHIBA/东芝

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更多TK25S06N1L供应商更新时间2025-12-1 14:14:00