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TK25S06N1L	文件：279.29 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS??H) 1.Applications •Automotive •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers 2.Features (1)AEC-Q101qualified (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=15mΩ(typ.)(VGS=10V) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=60V) (4)Enhancementmode:Vth=1.5to2.5V(VDS=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK25S06N1L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V); Drain current ID 25 A \nPower Dissipation PD 57 W \nDrain-Source voltage VDSS 60 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V \n; Application Scope：Motor drivers / Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅧ-H\nAEC-Q101：Conform\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本\n	ToshibaToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	Toshiba

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TK25S06N1L

文件：279.29 Kbytes

Page：9 Pages

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS??H)

1.Applications •Automotive •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers 2.Features (1)AEC-Q101qualified (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=15mΩ(typ.)(VGS=10V) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=60V) (4)Enhancementmode:Vth=1.5to2.5V(VDS=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

TK25S06N1L

文件：300 bytes

Page：1 Pages

Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V); Drain current ID 25 A \nPower Dissipation PD 57 W \nDrain-Source voltage VDSS 60 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V \n;

Application Scope：Motor drivers / Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅧ-H\nAEC-Q101：Conform\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本\n

ToshibaToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

Toshiba

技术参数

Package name(Toshiba)：
DPAK+
Width×Length×Height(mm)：
6.5 x 9.5 x 2.3
AEC-Q101：
Qualified
Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
60
ID(A)：
25
=4.5V：
0.0368
=10V：
0.0185
Qg(nC)：
15
Tch(℃)：
175
RoHS：
Pb-free leads
Lead Finish(Note 3)：
SnAg
Mold：
Halogen-free
Drive voltage type：
Logic-Level Gate Drive

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