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TK25A	文件：110.32 Kbytes Page：3 Pages	Topstek Current Transducer 文件：110.32 Kbytes 页数：3 Pages	TOPSTEK	TOPSTEK
TK25A10K3	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK25A10K3	文件：312.12 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIV) Swiching Regulator Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 31 mΩ (typ.) • High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 50 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 100 V) • Enhancement-model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：312.12 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK25A10K3	文件：288.04 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Switching Voltage Regulators • FEATURES • Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 31mΩ (typ.) • Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1mA) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：288.04 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK25A60X	文件：231.3 Kbytes Page：10 Pages	丝印：K25A60X；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.105 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) High-speed switching properties with lower capacitance. (3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.2 mA) 文件：231.3 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK25A60X5	文件：362.65 Kbytes Page：10 Pages	丝印：K25A60X5；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Fast reverse recovery time: trr = 120 ns(typ.) (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.12 Ω(typ.) (3) Easy to control Gate switching (4) Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5 V(VDS = 10 V, ID = 1.2 mA) 文件：362.65 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK25A20D	文件：342.4 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：342.4 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK25A20D	文件：225.26 Kbytes Page：1 Pages	Switching Voltage Regulators 文件：225.26 Kbytes 页数：1 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK25A60X	文件：288.81 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：288.81 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK25A60X5	文件：288.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：288.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
600
VGSS(V)：
+/-30
ID(A)：
25
PD(W)：
45
Ciss(pF)：
2400
Qg(nC)：
40
=10V：
0.125
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Generation：
DTMOSⅣ-H
Type：
High-speed switching
Width×Length×Height(mm)：
10.0 x 15.0 x 4.5
Package Size(mm^2)：
150.00
Drive voltage type：
10V Gate Drive

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