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TK22A65X	文件：444.99 Kbytes Page：10 Pages	丝印：K22A65X；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.12Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.5to3.5V(VDS=10V,ID=1.1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK22A65X	文件：288.19 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK22A65X5	文件：445.51 Kbytes Page：9 Pages	丝印：K22A65X5；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.135Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=3to4.5V(VDS=10V,ID=1.1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK22A65X5	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V); Drain current ID 22 A \nPower Dissipation PD 45 W \nDrain-Source voltage VDSS 650 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V \n; Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚\n	ToshibaToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	Toshiba
TK22A65X5	文件：288.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
650
VGSS(V)：
+/-30
ID(A)：
22
PD(W)：
45
Ciss(pF)：
2400
Qg(nC)：
50
=10V：
0.16
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Generation：
DTMOSⅣ-H
Type：
High-speed switching/High-speed diode
Width×Length×Height(mm)：
10.0 x 15.0 x 4.5
Package Size(mm^2)：
150.00
Drive voltage type：
10V Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亿联芯电子科技有限公司	TK22A65X5,S5X	TOSHIBA/东芝	2023+	TO-220SIS	8635	一级代理优势现货,全新正品直营店	询价
深圳庞田科技有限公司	TK22A65X5	TOSHIBA/东芝	2023+	TO-220SIS	20000	AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站	询价
深圳市外芯人半导体有限公司	TK22A65X,S5X(M	TOSHIBA/东芝	24+		30	原装现货	询价
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更多TK22A65X供应商更新时间2025-7-30 12:25:00

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