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TK190E65Z	文件：467.5 Kbytes Page：10 Pages	Marking：K190E65Z；Package：TO-220；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingPowerSupplies Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.158Ω(typ.) (2)High-speedswitchingpropertieswithlowercapacitance. (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=0.61mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TK190E65Z

文件：467.5 Kbytes

Page：10 Pages

Marking：K190E65Z；Package：TO-220；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications •SwitchingPowerSupplies Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.158Ω(typ.) (2)High-speedswitchingpropertieswithlowercapacitance. (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=0.61mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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更多TK190E65Z供应商更新时间2025-7-24 15:01:00

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