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TK16E60W	文件：256.6 Kbytes Page：10 Pages	Switching Voltage Regulators 文件：256.6 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK16E60W	文件：338.15 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK16E60W5	文件：254.84 Kbytes Page：10 Pages	丝印：K16E60W5；Package：TO-220；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Fast reverse recovery time: trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.18 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (3) Easy to control Gate switching (4) Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5 V (VDS = 文件：254.84 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK16E60W5	文件：338.44 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK16E60W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 Drain current ID 15.8 A \nPower Dissipation PD 130 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TK16E60W5	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 Drain current ID 15.8 A \nPower Dissipation PD 130 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
600
VGSS(V)：
+/-30
ID(A)：
15.8
PD(W)：
130
Ciss(pF)：
1350
Qg(nC)：
38
=10V：
0.19
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220
Generation：
DTMOSⅣ
Width×Length×Height(mm)：
10.16 x 15.1 x 4.45
Package Size(mm^2)：
153.42
Drive voltage type：
10V Gate Drive

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