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TK15A60D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK15A60D	文件：319.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=370mΩ(MAX) •Enhancementmode: Vth=2to4V(VDS=10V,ID=1.0mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK15A60D	文件：196.2 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.31Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=8.5S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK15A60D	文件：196.2 Kbytes Page：6 Pages	Low drain-source ON-resistance	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK15A60U	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK15A60U	文件：288.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.3Ω(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=600V) •Enhancementmode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforro	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK15A60U	文件：162.27 Kbytes Page：6 Pages	FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(DTMOS?? SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.24Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=8.5S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(VDS=600V) •Enhancementmode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
U15A60	文件：136.64 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECTIFIERS(15A,300-600V) UltraFastRecoveryRectifierDiodes	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
U15A60PT	文件：111.17 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECTIFIER VOLTAGERANGE50-600VoltsCURRENT15Amperes FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Dualrectifierconstruction,positivecentertap Glasspassivatedchipjunctions Lowpowerloss *Lowforwardvoltage,highcurrentcapability	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
UF15A60	文件：199.88 Kbytes Page：2 Pages	UtraFastRecoveryRectifierDiodes	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC

详细参数

型号：
TK15A60D
功能描述：
MOSFET N-ch 600V 15A TO-220SIS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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