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TK150F04K3中文资料Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V)数据手册Toshiba规格书
TK150F04K3规格书详情
描述 Description
Polarity：N-ch
Generation：U-MOSⅣ
AEC-Q101：Conform
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本
特性 Features
Drain current ID 150 A
Power Dissipation PD 300 W
Drain-Source voltage VDSS 40 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V
技术参数
- 制造商编号
：TK150F04K3
- 生产厂家
：Toshiba
- Total gate charge (Typ.)
：166 nC
- Drain-Source on-resistance (Max)
：0.0021 Ω
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