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TK14A65W5	文件：239.32 Kbytes Page：10 Pages	丝印：K14A65W5；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Fast reverse recovery time: trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.25 Ω (typ.) by using Super Junction Structure : DTMOS (3) Easy to control Gate switching (4) Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5 V (VDS = 1 文件：239.32 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK14A65W5	文件：289.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：289.23 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK14A65W5	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚 Drain current ID 13.7 A \nPower Dissipation PD 40 W \nDrain-Source voltage VDSS 650 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
ITK14A65W5	文件：289.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：289.23 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
650
VGSS(V)：
+/-30
ID(A)：
13.7
PD(W)：
40
Ciss(pF)：
1300
Qg(nC)：
40
=10V：
0.3
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Generation：
DTMOSⅣ
Type：
High-speed diode
Width×Length×Height(mm)：
10.0 x 15.0 x 4.5
Package Size(mm^2)：
150.00
Drive voltage type：
10V Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TK14A65W5供应商更新时间2026-10-21 10:18:00

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