TK12J55D数据手册Toshiba中文资料规格书
TK12J55D规格书详情
描述 Description
Polarity：N-ch
Generation：π-MOSⅦ
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本
特性 Features
Drain current ID 12 A
Power Dissipation PD 190 W
Drain-Source voltage VDSS 550 V
Gate-Source voltage VGSS +/-30 V
技术参数
- 型号：
TK12J55D
- 制造商：
Toshiba America Electronic Components
- 功能描述：
MOSFET Nch 550V 12A 0.57ohm/10V TO-3P(N)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO3P |
42000 |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
7750 |
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TOSHIBA |
2016+ |
TO3P |
6000 |
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TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO-3P |
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TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO-3P |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA/东芝 |
25+ |
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TOSHIBA/东芝 |
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TO3P |
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