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TK12E60W	文件：372.64 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=11.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.3Ω(Max) DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：372.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK12E60W	文件：256.899 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS?? 文件：256.899 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK12E60W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 Drain current ID 11.5 A \nPower Dissipation PD 110 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TK12E60U	文件：372.3 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.4Ω(Max) DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：372.3 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK12E60U	文件：1.03494 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.03494 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TK12E60U	文件：245.19 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS?? 文件：245.19 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
600
VGSS(V)：
+/-30
ID(A)：
11.5
PD(W)：
110
Ciss(pF)：
890
Qg(nC)：
25
=10V：
0.3
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220
Generation：
DTMOSⅣ
Width×Length×Height(mm)：
10.16 x 15.1 x 4.45
Package Size(mm^2)：
153.42
Drive voltage type：
10V Gate Drive

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更多TK12E60W供应商更新时间2025-12-1 9:20:00

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