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TK12A60D	文件：298.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK12A60D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK12A60U	文件：1.58205 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
TK12A60U	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK12A60U	文件：287.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK12A60U	文件：187.12 Kbytes Page：6 Pages	FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(DTMOS?? SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.36Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=7.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=600V) •Enhancement-mode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK12A60W	文件：289.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK12A60W	文件：246.65 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS(DTMOS?? Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.265Ω(typ.)byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=0.6mA) Applications •SwitchingVoltageRegulators	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
WTF12A60	文件：489.81 Kbytes Page：6 Pages	Bi-DirectionalTriodeThyristor	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WTF12A60-S	文件：454.76 Kbytes Page：5 Pages	Bi-DirectionalTriodeThyristor	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WTPA12A60SW	文件：447.54 Kbytes Page：6 Pages	SensitiveGateBi-DirectionalTriodeThyristor	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WTPB12A60BW	文件：441.3 Kbytes Page：6 Pages	SensitiveGateBi-DirectionalTriodeThyristor GeneralDescription Generalpurposeswithhingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlytomicro-controllers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetriggercircuitssuchasfanspeedandtemperaturemodulationcontrol,lightingcontrolands	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WTPB12A60CW	文件：441.16 Kbytes Page：6 Pages	SensitiveGateBi-DirectionalTriodeThyristor	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi

详细参数

型号：
TK12A60D(QM)
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
MOSFETN CH600V12ASC-67

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更多TK12A60D(QM)供应商更新时间2024-6-6 16:07:00

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