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TK12A50D	文件：319.18 Kbytes Page：6 Pages	Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) Switching Regulator Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.45 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 6.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 10 μA (VDS = 500 V) • Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：319.18 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK12A50D	文件：319 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.52Ω(Max) DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：319 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK12A50D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK12A50D5	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK12A50D5	文件：319.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.73Ω(Max) DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：319.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK12A50D	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 250V VDSS 500V) Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 / 马来西亚 Drain current ID 12 A \nPower Dissipation PD 45 W \nDrain-Source voltage VDSS 500 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TK12A50D5	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 250V VDSS 500V) Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚 Drain current ID 12 A \nPower Dissipation PD 45 W \nDrain-Source voltage VDSS 500 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
500
VGSS(V)：
+/-30
ID(A)：
12
PD(W)：
45
Ciss(pF)：
1350
Qg(nC)：
25
=10V：
0.52
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Generation：
π-MOSⅦ
Width×Length×Height(mm)：
10.0 x 15.0 x 4.5
Package Size(mm^2)：
150.00
Drive voltage type：
10V Gate Drive

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