TK11A60D中文资料东芝数据手册PDF规格书
TK11A60D规格书详情
Switching Regulator Applications
• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.54 Ω (typ.)
• High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 6.0 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 600 V)
• Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
产品属性
- 型号：
TK11A60D
- 功能描述：
MOSFET N-Ch MOS 11A 600V 45W 1550pF 0.65
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
25+ |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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