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TK099V65Z中文资料东芝数据手册PDF规格书

TK099V65Z
厂商型号

TK099V65Z

功能描述

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

丝印标识

TK099V65Z

封装外壳

DFN8x8

文件大小

474.03 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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TK099V65Z规格书详情

Applications

• Switching Power Supplies

特性 Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.08 Ω (typ.)

(2) High-speed switching properties with the lower capacitance.

(3) Enhancement mode: Vth = 3 to 4 V (VDS = 10 V, ID = 1.27 mA)

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