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TJ8S06M3L中文资料Power MOSFET (P-ch single)数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

TJ8S06M3L

功能描述

Power MOSFET (P-ch single)

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-23 12:00:00

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TJ8S06M3L规格书详情

描述 Description

Application Scope:Motor drivers / Switching regulators
Polarity:P-ch
Generation:U-MOSⅥ
AEC-Q101:Conform
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本

特性 Features

Drain current ID -8 A
Power Dissipation PD 27 W
Drain-Source voltage VDSS -60 V
Gate-Source voltage VGSS -20/+10 V

技术参数

  • 制造商编号

    :TJ8S06M3L

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Package name(Toshiba)

    :DPAK+

  • Width×Length×Height(mm)

    :6.5 x 9.5 x 2.3

  • AEC-Q101

    :Qualified

  • Polarity

    :P-ch

  • VDSS(V)

    :-60

  • ID(A)

    :-8.0

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V

    :0.104

  • Qg(nC)

    :19

  • Tch(℃)

    :175

  • RoHS

    :Pb-free leads

  • Lead Finish(Note 3)

    :SnAg

  • Mold

    :Halogen-free

  • Drive voltage type

    :-10V Gate Drive

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