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TJ60S04M3L	文件：263.01 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P-Channel MOS (U-MOS) 1. Applications • Automotive • Motor Drivers • DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.8 mΩ (typ.) (VGS = -10 V) (3) Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -40 V) (4) Enhancement mode: Vt 文件：263.01 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TJ60S04M3L	文件：246.8 Kbytes Page：9 Pages	Automotive Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 文件：246.8 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TJ60S04M3L_V01	文件：263.01 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P-Channel MOS (U-MOS) 1. Applications • Automotive • Motor Drivers • DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.8 mΩ (typ.) (VGS = -10 V) (3) Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -40 V) (4) Enhancement mode: Vt 文件：263.01 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TJ60S04M3L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (P-ch single) Application Scope：Motor drivers / Switching regulators\nPolarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ\nAEC-Q101：Conform\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Drain current ID -60 A \nPower Dissipation PD 90 W \nDrain-Source voltage VDSS -40 V \nGate-Source voltage VGSS -20/+10 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Package name(Toshiba)：
DPAK+
Width×Length×Height(mm)：
6.5 x 9.5 x 2.3
AEC-Q101：
Qualified
Polarity：
P-ch
VDSS(V)：
-40
ID(A)：
-60
=10V：
0.0063
Qg(nC)：
125
Tch(℃)：
175
RoHS：
Pb-free leads
Lead Finish(Note 3)：
SnAg
Mold：
Halogen-free
Drive voltage type：
-10V Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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