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TJ30S06M3L_V01中文资料东芝数据手册PDF规格书

TJ30S06M3L_V01
厂商型号

TJ30S06M3L_V01

功能描述

Silicon P-Channel MOS (U-MOS)

文件大小

261.44 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-19 23:00:00

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TJ30S06M3L_V01规格书详情

1. Applications

• Automotive

• Motor Drivers

• DC-DC Converters

• Switching Voltage Regulators

2. Features

(1) AEC-Q101 qualified

(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 16.8 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

(3) Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -60 V)

(4) Enhancement mode: Vth = -2.0 to -3.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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