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TISP8200MDR	文件：329.38 Kbytes Page：13 Pages	COMPLEMENTARY BUFFERED-GATE SCRS FOR DUAL POLARITY SLIC OVERVOLTAGE PROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8200MDR-S	文件：329.38 Kbytes Page：13 Pages	COMPLEMENTARY BUFFERED-GATE SCRS FOR DUAL POLARITY SLIC OVERVOLTAGE PROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8200MDR-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 晶闸管描述：THYRISTOR 120V 45A 8SOIC	Bourns Inc. Bourns Inc.	Bourns Inc.
TL-WN8200ND	文件：588.17 Kbytes Page：3 Pages	300MbpsHighPowerWirelessNRouter	TP-LINK TP-Link Technologies Co., Ltd.	TP-LINK
TL-WN8200ND	文件：4.58088 Mbytes Page：7 Pages	HighPowerWirelessNRouter	TP-LINK TP-Link Technologies Co., Ltd.	TP-LINK
TL-WN8200ND	文件：3.25483 Mbytes Page：3 Pages	300MbpsHighPowerWirelessNRouter	TP-LINK TP-Link Technologies Co., Ltd.	TP-LINK
TPV8200B	文件：184.8 Kbytes Page：8 Pages	RFPOWERTRANSISTORNPNSILICON TheRFLine NPNSiliconRFPowerTransistor TheTPV8200BisdesignedforoutputstagesinbandIVandVTVtransmitteramplifiers.Itincorporateshighvalueemitterballastresistors,goldmetallizationsandoffersahighdegreeofreliabilityandruggedness. Includinginputandoutputmatchin	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
TSHG8200	文件：109.68 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedInfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,830nm,GaAlAsDoubleHetero DESCRIPTION TSHG8200isaninfrared,830nmemittingdiodeinGaAlAsdoublehetero(DH)technologywithhighradiantpowerandhighspeed,moldedinaclear,untintedplasticpackage. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-1¾ •Dimensions(inmm):∅5 •Peakwavelength:λp=830nm	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSHG8200	文件：101.18 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedInfraredEmittingDiode,830nm,GaAlAsDoubleHetero	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSHG8200	文件：112.82 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedInfraredEmittingDiode,830nm,GaAlAsDoubleHetero DESCRIPTION TSHG8200isaninfrared,830nmemittingdiodeinGaAlAs doublehetero(DH)technologywithhighradiantpowerand highspeed,moldedinaclear,untintedplasticpackage. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-1¾ •Dimensions(inmm):5 •Peakwavelength:p=8	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
TISP8200MDR
功能描述：
SCR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics 最大转折电流
IBO：
480 A 额定重复关闭状态电压
VDRM：
600 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
5 uA
开启状态：
RMS
正向电压下降：
1.6 V
栅触发电压(Vgt)：
1.3 V
最大栅极峰值反向电压：
5 V
栅触发电流(Igt)：
35 mA 保持电流（Ih
最大值）：
75 mA
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
TO-220
封装：
Tube

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