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TLE4290	文件：210.53 Kbytes Page：18 Pages	5-VLow-DropVoltageRegulator FunctionalDescription TheTLE4290isamonolithicintegratedlow-dropvoltageregulatorwhichcansupplyloadsupto450mAwithpowergoodfeature.Aninputvoltageupto42VisregulatedtoVQ,nom=5.0V.Thedeviceisdesignedtosupplyµ-controllersinthesevereenvironmentofautomotive	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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TLE4290D	文件：479.12 Kbytes Page：17 Pages	5-VLowDropVoltageRegulator	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
TLE4290D	文件：210.53 Kbytes Page：18 Pages	5-VLow-DropVoltageRegulator FunctionalDescription TheTLE4290isamonolithicintegratedlow-dropvoltageregulatorwhichcansupplyloadsupto450mAwithpowergoodfeature.Aninputvoltageupto42VisregulatedtoVQ,nom=5.0V.Thedeviceisdesignedtosupplyµ-controllersinthesevereenvironmentofautomotive	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
TLE4290G	文件：210.53 Kbytes Page：18 Pages	5-VLow-DropVoltageRegulator FunctionalDescription TheTLE4290isamonolithicintegratedlow-dropvoltageregulatorwhichcansupplyloadsupto450mAwithpowergoodfeature.Aninputvoltageupto42VisregulatedtoVQ,nom=5.0V.Thedeviceisdesignedtosupplyµ-controllersinthesevereenvironmentofautomotive	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
TLE4290G	文件：479.12 Kbytes Page：17 Pages	5-VLowDropVoltageRegulator	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
VB4290	文件：686.1 Kbytes Page：9 Pages	DualP-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB4290	文件：712.15 Kbytes Page：9 Pages	DualP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableApplications •BatterySwitchforPortableDevices •Computers -BusSwitch -LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB4290A	文件：767.23 Kbytes Page：9 Pages	DualP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableApplications •BatterySwitchforPortableDevices •Computers -BusSwitch -LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBBD4290	文件：827.62 Kbytes Page：9 Pages	DualP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFETs •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableDevices •BatterySwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBBD4290A	文件：928.09 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •LITTLEFOOT®PlusPowerMOSFET •UltraLowVFSchottky •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •ChargingSwitchforPortableDevices -WithIntegratedLowVFTrenchSchottkyDiode	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBBD4290A	文件：811.66 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
TISP4290-S
功能描述：
硅对称二端开关元件 Single bidirectional protector
RoHS：
否
制造商：
Bourns 转折电流
VBO：
40 V 最大转折电流
IBO：
800 mA
不重复通态电流：
额定重复关闭状态电压
VDRM：
25 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
保持电流（Ih
最大值）：
50 mA
开启状态电压：
5 V 关闭状态电容
CO：
120 pF
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AA

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