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UCL2310	文件：197.56 Kbytes Page：7 Pages	PSRSINGLE-STAGEAPFCOFFLINELEDCONTROLLER	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UM2310	文件：185.04 Kbytes Page：5 Pages	PINDIODE Description UM2300SeriesPINdiodesaredesignedfortransmit/receiveswitchandattenuatorapplicationinLFband(100KHz)andabove.Asseriesconfiguredswitches,theselonglifetime(80mStyp)diodescancontrolupto2.5KWCWina50ohmsystem.InMFband,insertionlossislesstha	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UPG2310TK	文件：220.61 Kbytes Page：11 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Highgain:GP=27.0dBTYP. •Lowdistortion:OIP3=+28.5dBmTYP. •6-pinlead-lessminimoldpackage(1.5×1.1×0.55mm)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPG2310TK	文件：269.56 Kbytes Page：8 Pages	GaAsMMICLOWNOISEAMPLIFIERFORSATELLITERADIO	CEL California Eastern Labs	CEL
UTR2310	文件：151.46 Kbytes Page：3 Pages	RECTIFIERS DESCRIPTION Smallsizeandhighsurgecapabilitymakethisseriesofpowerswitchingrectifiersdesirableforpowersupplieswheresize,weightandreliabilityareimportant. FEATURES ●ContinuousRating:to4A ●ControlledAvalanche ●SurgeRating:to100A ●PIV:to600V ●MiniaturePackag	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UTR2310	文件：153.55 Kbytes Page：3 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERS	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
VBA2310	文件：600.22 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitch •NotebookAdaptorSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBZ2310	文件：483.19 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VDA2310CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDA2310NTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM

详细参数

型号：
TISP2310L-S
功能描述：
硅对称二端开关元件 Dual bidirectional protector
RoHS：
否
制造商：
Bourns 转折电流
VBO：
40 V 最大转折电流
IBO：
800 mA
不重复通态电流：
额定重复关闭状态电压
VDRM：
25 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
保持电流（Ih
最大值）：
50 mA
开启状态电压：
5 V 关闭状态电容
CO：
120 pF
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AA

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