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TIP522

Trans GP BJT PNP 200V 2A

NJS

新泽西半导体

TLV522

TLV522 Dual Nanopower, 500nA, RRIO CMOS Operational Amplifier

文件:1.047609 Mbytes 页数:22 Pages

TI

德州仪器

TLV522

TLV522 Dual Nanopower, 500nA, RRIO CMOS Operational Amplifier

1 Features 1• Unmatched Price Performance • Wide Supply Range 1.7 V to 5.5 V • Low Supply Current 500 nA • Good Offset Voltage 4 mV (max) • Good TcVos 1.5 μV/°C • Gain-Bandwidth 8 kHz • Rail-to-Rail Input and Output (RRIO) • Unity-Gain Stable • Low Input Bias Current 1 pA • EMI Hardened

文件:635.7 Kbytes 页数:22 Pages

TI

德州仪器

TLV522DGKR

TLV522 Dual Nanopower, 500nA, RRIO CMOS Operational Amplifier

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TI

德州仪器

晶体管资料

  • 型号:

    TIP522

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_TR

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    200V

  • 最大电流允许值:

    2A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BFT19A,2N5416,3CK105F,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    C-40

  • vtest:

    200

  • htest:

    999900

  • atest:

    2

  • wtest:

    1

技术参数

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    200V

  • Maximum DC Collector Current:

    2A

  • Maximum Power Dissipation:

    1000mW

  • Maximum Transition Frequency:

    50(Typ)MHz

  • Type:

    PNP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多TIP522供应商 更新时间2026-4-17 13:01:00