TIP42C中文资料100V,6A,Medium Power PNP Bipolar Transistor数据手册Galaxy规格书
| 厂商型号 |
TIP42C |
| 参数属性 | TIP42C 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 100V 6A TO220-3 |
| 功能描述 | 100V,6A,Medium Power PNP Bipolar Transistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
| 中文名称 | 银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-26 8:58:00 |
| 人工找货 | TIP42C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
TIP42C三极管、TIP42C晶体管、TIP42C晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
6A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD602,TIP42C,3CD10D,
- 最大耗散功率：
65W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-10
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
6
- wtest：
65
技术参数
- 制造商编号
：TIP42C
- 生产厂家
：Galaxy
- AEC Qualified
：NO
- Pb Free
：YES
- Halide free
：YES
- Reach
：YES
- RoHS
：YES
- Marketing Status
：Active
- Polarity
：PNP
- V(BR)CEO(V)min.
：100
- IC(A)
：6
- hFEmin.
：15
- hFEmax.
：75
- VCE (sat)(V)
：1.5
- IB(mA)
：600
- fT(MHz)min.
：3
- PD(W)max.
：2
- TJ(°C)max.
：150
- TJ(°C)min.
：-55
- ECCN(US)
：EAR99
- Category
：双极型晶体管
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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