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TIP42C	文件：1.39988 Mbytes Page：4 Pages	丝印：TIP42C；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Medium Power Linear Switching Applications Complement to TIP41/41A/41B/41C 文件：1.39988 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
TIP42C	文件：1.39988 Mbytes Page：4 Pages	丝印：TIP42C；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Medium Power Linear Switching Applications Complement to TIP41/41A/41B/41C 文件：1.39988 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
TIP42C	文件：6.88395 Mbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION · DC Current Gain -hFE = 30(Min)@ IC= -0.3A · Collector-Emitter Sustaining Voltage-: VCEO(SUS) = -40V(Min)- TIP42; -60V(Min)- TIP42A -80V(Min)- TIP42B; -100V(Min)- TIP42C · Complement to Type TIP41/41A/41B/41C APPLICATIONS · De 文件：6.88395 Mbytes 页数：3 Pages	KISEMICONDUCTOR	KISEMICONDUCTOR
TIP42C	文件：179.23 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (PNP) TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Medium Power Linear Switching Applications ● Complement to TIP41/41A/41B/41C 文件：179.23 Kbytes 页数：2 Pages	FS	FS
TIP42C	文件：58.95 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -6 A Collector-base voltage V(BR)CBO: TIP42A : -60 V TIP42B: -80 V TIP42C: -100 V Operating and storage junction temper 文件：58.95 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
TIP42C	文件：755.89 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Epitaxial Power Transistor Features: * Medium Power Linear Switching Applications * Complement to TIP41/TIP41A/TIP41B/TIP41C 文件：755.89 Kbytes 页数：2 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
TIP42C	文件：906.88 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-220 Plastic Package. Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-220 Plastic Package. Features Complement to TIP41. Applications Medium power linear switching applications. 文件：906.88 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
TIP42C	文件：36.73 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear Switching Applications Features • Medium Power Linear Switching Applications • Complement to TIP41/TIP41A/TIP41B/TIP41C 文件：36.73 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
TIP42C	文件：222.2 Kbytes Page：6 Pages	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON Complementary Silicon Plastic Power Transistors Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. Features • ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 V Human Body Model, 3B; > 8000 V • Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in • Pb-Free Packages are Availa 文件：222.2 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TIP42C	文件：179.97 Kbytes Page：5 Pages	PNP (MEDIUM POWER LINEAR SWITCHING APPLICATIONS) MEDIUM POWER LINEAR SWITCHING APPLICATIONS • Complement to TIP41/41A/41B/41C 文件：179.97 Kbytes 页数：5 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG

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晶体管资料

型号：
TIP42C
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD602,TIP42C,3CD10D,
最大耗散功率：
65W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
100
htest：
999900
atest：
6
wtest：
65

详细参数

型号：
TIP42C
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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