TIP34B分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
TIP34B |
| 参数属性 | TIP34B 封装/外壳为TO-218-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 80V 10A TO218 |
| 功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-218-3 |
| 文件大小 |
102.85 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-8 23:00:00 |
| 人工找货 | TIP34B价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
TIP34B三极管、TIP34B晶体管、TIP34B晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
10A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
80W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-10
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
80
TIP34B规格书详情
Complementary Silicon High-Power Transistors
. . . for general–purpose power amplifier and switching applications.
• 10 A Collector Current
• Low Leakage Current — ICEO = 0.7 mA @ 60 V
• Excellent dc Gain — hFE = 40 Typ @ 3.0 A
• High Current Gain Bandwidth Product — hfe = 3.0 min @ IC = 0.5 A, f = 1.0 MHz
产品属性
- 产品编号：
TIP34B
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 3A，4V
- 频率 - 跃迁：
3MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-218-3
- 供应商器件封装：
TO-218
- 描述：
TRANS PNP 80V 10A TO218
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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ST |
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