TIP32B分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
TIP32B |
| 参数属性 | TIP32B 封装/外壳为TO-220-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 80V 3A TO220 |
| 功能描述 | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
196.67 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-7 11:08:00 |
| 人工找货 | TIP32B价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
TIP32B规格书详情
TIP32B属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的TIP32B晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
Designed for use in general purpose amplifier and switching applications.
特性 Features
• Collector−Emitter Saturation Voltage −
VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
• Collector−Emitter Sustaining Voltage −
VCEO(sus) = 40 Vdc (Min) − TIP31, TIP32
= 60 Vdc (Min) − TIP31A, TIP32A
= 80 Vdc (Min) − TIP31B, TIP32B
= 100 Vdc (Min) − TIP31C, TIP32C
• High Current Gain − Bandwidth Product
fT= 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc
• Compact TO−220 AB Package
• Pb−Free Packages are Available*
产品属性
更多- 产品编号：
TIP32B
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
300µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 3A，4V
- 频率 - 跃迁：
3MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS PNP 80V 3A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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