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TIP31B分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

TIP31B

参数属性

TIP31B 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 3A TO220-3

功能描述

Complementary Silicon Plastic Power Transistors

封装外壳

TO-220-3

文件大小

92.6 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名称

新泽西半导体 新泽西半导体公司

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更新时间

2025-12-15 17:00:00

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TIP31B规格书详情

Complementary Silicon Plastic Power Transistors

Designed for use in general purpose amplifier and switching applications.

特性 Features

• Col lector-Emitter Saturation Voltage

VcE(sat) = 1-2 Vdc (Max) @ Ic = 3.0 Adc

• Collector-Emitter Sustaining Voltage -

VCEO(SUS) = 40 Vdc (Min) - T1P31, TIP32

= 60 Vdc (Min) - TIP31A, T1P32A

= 80 Vdc(Min) - TIP31B, TIP32B

= 100 Vdc(Min)-TIP31C, TIP32C

• High Current Gain - Bandwidth Product

fT =3.0 MHz (Min) @ Ic = 500 mAdc

• Compact TO-220 ABPackage

• Pb-Free Packages areAvailable*

产品属性

  • 产品编号:

    TIP31B

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.2V @ 375mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    300µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 3A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 3A TO220-3

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