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TIP29C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

TIP29C

参数属性

TIP29C 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 1A TO220

功能描述

High Power Bipolar Transistors

封装外壳

TO-220-3

文件大小

363.65 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

MULTICOMP

中文名称

易络盟

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数据手册

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更新时间

2025-12-10 23:01:00

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TIP29C规格书详情

特性 Features

• Collector-Emitter sustaining voltage - Vceo (sus) = 60V (Minimum) - TIP29A

= 100V (Minimum) - TIP29C

• Collector-Emitter saturation voltage - Vce (sat) = 0.7V (Maximum) at Ic = 1A

• Current gain-bandwidth product ft = 3MHz (Minimum) at Ic = 200mA

产品属性

  • 产品编号:

    TIP29C

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    700mV @ 125mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    300µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 1A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 1A TO220

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