TIP29A中文资料互补硅功率晶体管数据手册ST规格书
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
TIP29A三极管、TIP29A晶体管、TIP29A晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
2A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
30W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-10
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
2
- wtest：
30
TIP29A规格书详情
描述 Description
The devices are manufactured in Planar technology with “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. The PNP types are TIP30A and TIP30C.
特性 Features
• NPN transistors
简介
TIP29A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ST制造生产的TIP29A晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：TIP29A
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- Transistor Polarity
：NPN
- Collector-Emitter Voltage_nom(V)
：60
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
：60
- Collector-Base Voltage_max(V)
：60
- Collector Current_max(A)
：1
- Collector Current_abs_max(A)
：1
- Dc Current Gain_min
：15
- Dc Current Gain_max
：75
- Test Condition for hFE (IC)
：1
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
：4
- VCE(sat)_max(V)
：0.7
- Test Condition for VCE(sat) - IC
：1
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
：125
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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