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UDS-162-S	文件：125.76 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inSignalConditionersM-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
UDS-162-SSLASHE	文件：125.76 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inSignalConditionersM-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
UDS-162-SSLASHQ	文件：125.76 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inSignalConditionersM-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
VB162K	文件：588.27 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB162K	文件：445.43 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •LowThreshold:2V(typ.) •LowInputCapacitance:25pF •FastSwitchingSpeed:25ns •LowInputandOutputLeakage •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS •LowOffsetVoltage •Low-V	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB162KX	文件：385.79 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •100RgandUISTested •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB162KX	文件：619.34 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBK162K	文件：635.03 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VI-B162-CU	文件：419.59 Kbytes Page：7 Pages	50to200Watts	Vicor Vicor Corporation	Vicor
VI-B162-EU	文件：419.59 Kbytes Page：7 Pages	50to200Watts	Vicor Vicor Corporation	Vicor

详细参数

型号：
TIP162-S
功能描述：
达林顿晶体管 NPN DARLINGTON 380V 10A
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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更多TIP162-S供应商更新时间2025-7-24 11:00:00

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