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UNB-141N	文件：280.52 Kbytes Page：5 Pages	SparkGapProtectors	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UNB-141N	文件：2.68285 Mbytes Page：6 Pages	SparkGapProtectors(SPG) Features Approximatelyzeroleakingcurrentbeforeclampingvoltage Lessdecayaton/offstate. Highcapabilitytowithstandrepeatedlightningstrikes. Lowelectrodecapacitance(≤1.0pF)andhighisolation(≥100MΩ). RoHScompliant. Bilateralsymmetrical. Temperature,humidityandlightne	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UNB-141NSMD	文件：2.75115 Mbytes Page：5 Pages	SparkGapProtectors(SPG) Features Approximatelyzeroleakingcurrentbeforeclampingvoltage Lessdecayaton/offstate. Highcapabilitytowithstandrepeatedlightningstrikes. Lowelectrodecapacitance(≤1.0pF)andhighisolation(≥100MΩ). RoHScompliant. Bilateralsymmetrical. Temperature,humidityandlightnes	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
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UNC-141N	文件：2.72288 Mbytes Page：6 Pages	SparkGapProtectors(SPG) Features Approximatelyzeroleakingcurrentbeforeclampingvoltage Lessdecayaton/offstate. Highcapabilitytowithstandrepeatedlightningstrikes. Lowelectrodecapacitance(≤1.0pF)andhighisolation(≥100MΩ). RoHScompliant. Bilateralsymmetrical. Temperature,humidityandlightne	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI

详细参数

型号：
TIP141TTU
功能描述：
达林顿晶体管
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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