TIP141T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
TIP141T |
参数属性 | TIP141T 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 80V 10A TO220-3 |
功能描述 | NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor |
封装外壳 | TO-220-3 |
文件大小 |
69.96 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
中文名称 | 新泽西半导体 新泽西半导体公司 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-5 11:22:00 |
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TIP141T规格书详情
特性 Features
• Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors
• High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = 4V, lc = 5A (Min.)
• Industrial Use
• Complement to TIP145T/146T/147T
产品属性
- 产品编号:
TIP141T
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
3V @ 40mA,10A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
2mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 5A,4V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220-3
- 描述:
TRANS NPN DARL 80V 10A TO220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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