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TIP125分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

TIP125
厂商型号

TIP125

参数属性

TIP125 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 60V 5A TO220-3

功能描述

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

封装外壳

TO-220-3

文件大小

103.06 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Comset Semiconductor
企业简称

COMSET

中文名称

Comset Semiconductor官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-17 14:06:00

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晶体管资料

  • 型号:

    TIP125

  • 别名:

    TIP125三极管、TIP125晶体管、TIP125晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD266,BD646,BD698,BD898,BD24A,BDW64A,FC75B,

  • 最大耗散功率:

    65W

  • 放大倍数:

    β>1000

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    65

TIP125规格书详情

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

PNP epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220

enveloppe. They are intended for use in power linear and switching applications.

NPN complements are TIP120-121-122

Compliance to RoHS.

产品属性

  • 产品编号:

    TIP125

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    4V @ 20mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    2mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 3A,3V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 60V 5A TO220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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