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TIP122FP	文件：279.56 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP122FP	文件：279.56 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPES ■FULLYINSULATEDPACKAGE(U.L. COMPLIANT)FOREASYMOUNTING DESCRIPTION TheTIP122FPisasiliconEpitaxial-BaseNPN powertransistorinmonolithicDarlington configurationmountedinJedecTO-220FPfully moldedisolatedpackage.Itisintented	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP122FP	文件：149.72 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighDCCurrentGain-:hFE=1000(Min)@IC=3A •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=100V(Min) •LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=3A=4.0V(Max)@IC=5A •ComplementtoTypeTIP127FP APPLICATIONS •Designedforgeneralpurpo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TIP122G	文件：114.79 Kbytes Page：7 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP122G	文件：91.49 Kbytes Page：7 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP122G	文件：144.18 Kbytes Page：7 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP122L	文件：1.17309 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-126PlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
TIP122L	文件：466.37 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
TIP122NPN	文件：321.48 Kbytes Page：4 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS HighPowerSwitching,HammerDrive,PulseMotorDriveandInductiveLoadDriveApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
TIP122-O-C-N-B	文件：214.04 Kbytes Page：5 Pages	Engineignition	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

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产品属性

产品编号：
TIP122-BP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 20mA，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 3A，3V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
TRANS NPN DARL 100V 5A TO220AB

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