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TIP121	文件：127.43 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •DARLINGTON •HighDCcurrentgain •Lowcollectorsaturationvoltage •ComplementtotypeTIP125/126/127 APPLICATIONS •Designedforgeneral–purposeamplifier andlow–speedswitchingapplications.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
TIP121	文件：501.58 Kbytes Page：5 Pages	Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=3A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP125/126/127	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
TIP121	文件：810.29 Kbytes Page：5 Pages	BASE NPN / PNP EPITAXIALBASENPN/PNP POWERDARLINGTONS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
TIP121	文件：768.39 Kbytes Page：3 Pages	PNP/NPN Silicon Power Transistor FEATURES: MediumPowerComplementarysilicontransistors TIP120,121,122DarlingtonTRANSISTOR(NPN) *TIP125,126,127DarlingtonTRANSISTOR(PNP)	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
TIP121	文件：185.5 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •DARLINGTON •HighDCcurrentgain •Lowcollectorsaturationvoltage •ComplementtotypeTIP125/126/127 APPLICATIONS •Designedforgeneral–purposeamplifier andlow–speedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TIP121	文件：555.16 Kbytes Page：3 Pages	Darlington TRANSISTOR (NPN) TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors TIP120,121,122DarlingtonTRANSISTOR(NPN) TIP125,126,127DarlingtonTRANSISTOR(PNP) FEATURES ●MediumPowerComplementarySiliconTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
TIP121	文件：1.46806 Mbytes Page：2 Pages	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors TIP120,121,122DarlingtonTRANSISTOR(NPN) TIP125,126,127DarlingtonTRANSISTOR(PNP) FEATURES ●MediumPowerComplementarySiliconTransistors	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
TIP121	文件：321.48 Kbytes Page：4 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS HighPowerSwitching,HammerDrive,PulseMotorDriveandInductiveLoadDriveApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
TIP121	文件：100.15 Kbytes Page：2 Pages	PLASTIC MEDIUM-POWER COPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS ...designedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. FEATURES: •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=60V(Min)−TIP120,TIP125 =80V(Min)−TIP121,TIP126 =100V(Min)−TIP122,TIP127 •LowCollec	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
TIP121	文件：168.14 Kbytes Page：5 Pages	NPN Epitaxial Darlington Transistor Features •MediumPowerLinearSwitchingApplications •ComplementarytoTIP125/TIP126/TIP127	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

产品属性

产品编号：
TIP121
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 20mA，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 3A，3V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN DARL 80V 5A TO220-3

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