| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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TIP105 | POWER TRANSISTORS(8A,60-100V,80W) 8AmpereDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP100,TIP101,TIP102-->NPN TIP105,TIP106,TIP107-->PNP | MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司 | MOSPEC | |
TIP105 | DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DARLINGTON8AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60–80–100VOLTS 80WATTS ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain—hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector–EmitterSustainingVoltage—@30mAdc | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 | Motorola | |
TIP105 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS PlasticMedium−PowerComplementarySiliconTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@30mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)− | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
TIP105 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithTIP100,TIP101andTIP102 ●80Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MaximumVCE(sat)of2.5VatIC=8A | POINN Power Innovations Ltd | POINN | |
TIP105 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheTIP102isasiliconEpitaxial-BaseNPNpowertransistorinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinTO-220plasticpackage.Itisintentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypeisTIP107. AlsoTIP105isaPNPtype. ■STMicroelectro | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | |
TIP105 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS TIP100,TIP101,TIP102-->NPN TIP105,TIP106,TIP107-->PNP | TRSYS Transys Electronics | TRSYS | |
TIP105 | PNP (HIGH DC CURRENT GAIN MIN HGIHDCCURRENTGAINMINhFE=1000@VCE=-4V,Ic=-3A COLLECTOR-EMITTERSUSTAININGVOLTAGELOWCOLLECTOR-EMITTERSATURATIONVOLTAGEMONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE ComplementarytoTIP100/101/102 | SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体 | Samsung | |
TIP105 | Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors MonolithicConstructionWithBuiltInBaseEmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) •Collector-EmitterSustainingVoltage •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •IndustrialUse •ComplementarytoTIP100/101/102 | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | |
TIP105 | Power Darlingtons for Linear and Switching Applications TIP100,101,102NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS TIP105,106,107PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS PowerDarlingtonsforLinearandSwitchingApplications | bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司 | boca | |
TIP105 | PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinLinearSwitchingApplications | TEL TRANSYS Electronics Limited | TEL |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）_开关管 （S
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
8A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD646,BD898,BDW74A...D,BDX54A...F,3CA10,
- 最大耗散功率：
80W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
B-10
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
8
- wtest：
80
产品属性
- 产品编号：
TIP105
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 80mA，8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 3A，4V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
TRANS PNP DARL 60V 8A TO220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220 |
942 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-220 |
2000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
STM |
13+ |
2000 |
TO-220-3 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-220-3 |
6001 |
原装正品现货 可开增值税发票 |
询价 | ||
STMICROELECT |
05+ |
原厂原装 |
4752 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-220 |
8866 |
询价 | |||
STM |
24+/25+ |
TO-220AB |
5950 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | ||
ST |
11+ |
TO-220 |
8000 |
全新原装,绝对正品现货供应 |
询价 | ||
ST |
17+ |
TO-220 |
6200 |
询价 | |||
FSC |
2020+ |
TO-220 |
2000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 |
