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TIP126	文件：105.7 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewith TIP120,TIP121andTIP122 ●65Wat25°CCaseTemperature ●5AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof1000at3V,3A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TIP126	文件：53.42 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layoutandmonolithicDarlingtonconfiguration.Theresultingtransistorsshowexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■Comp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP126	文件：242.23 Kbytes Page：6 Pages	PNP (MEDIUM POWER LINEAR SWITCHING APPLICATIONS) MEDIUMPOWERLINEARSWITCHINGAPPLICATIONS •ComplementtoTIP121	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
TIP126	文件：45.71 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear Switching Applications PNPEpitaxialDarlingtonTransistor Features •MediumPowerLinearSwitchingApplications •ComplementarytoTIP120/TIP121/TIP122	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP126	文件：49.48 Kbytes Page：2 Pages	Si-Epitaxial PlanarTransistors Si-EpitaxialPlanarTransistors •Collectorcurrent5A •PlasticcaseTO-220AB •Weightapprox.2.2g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
TIP126	文件：57.97 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors PLASTICPOWERTRANSISTORS HighPowerSwitching,HammerDrive,PulseMotorDriveandInductiveLoadDriveApplications	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
TIP126	文件：80.3 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS HighPowerSwitching,HammerDrive,PulseMotorDriveandInductiveLoadDriveApplications	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
TIP126	文件：243.33 Kbytes Page：4 Pages	Darlington Power Transistors (PNP) DarlingtonPowerTransistors(PNP) Features •Designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeed switchingapplications •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
TIP126	文件：108.29 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •DARLNGTON •HighDCcurrentgain •Lowcollectorsaturationvoltage •ComplementtotypeTIP120/121/122 APPLICATIONS •Designedforgeneral–purposeamplifier andlow–speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TIP126	文件：510.76 Kbytes Page：5 Pages	Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors MonolithicConstructionWithBuiltIn Base-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP120/121/122	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW

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详细参数

型号：
TIP1
功能描述：
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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