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TIM6472-30UL

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ・HIGH POWER P1dB= 45.0dBm at 6.4GHz to 7.2GHz ・HIGH GAIN G1dB= 9.5dB at 6.4GHz to 7.2GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(MIN)= -44dBc at Pout= 34dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

文件:310.56 Kbytes 页数:6 Pages

TOSHIBA

东芝

TIM6472-30SL

MICROWAVE POWER GaAs FET

文件:140.51 Kbytes 页数:4 Pages

TOSHIBA

东芝

TIM7785-35SL

TO-59

TINY13A-SSUATTINY13A-SSU

SOP8

AT

TIP102

TO-220

ON

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更多TIM6472-30UL供应商 更新时间2025-11-26 18:16:00