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TIL191A	文件：1.41669 Mbytes Page：3 Pages	HIGH DENSITY MOUNTING PHOTOTRANSISTOR OPTICALLY COUPLED ISOLATORS APPLICATIONS •Computerterminals •Industrialsystemscontrollers •Measuringinstruments •Signaltransmissionbetweensystemsofdifferentpotentialsandimpedances	ISOCOM Isocom Components 2004 LTD	ISOCOM
TIL191A	文件：85.02 Kbytes Page：6 Pages	Optocouplers consist of one gallium-arsenide light-emitting diode and one silicon npn phototransistor per channel	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
191	文件：54.91 Kbytes Page：2 Pages	MINIATUREFUSES-5x20mm	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
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ADP191CB-EVALZ	文件：642.3 Kbytes Page：16 Pages	LogicControlled,High-SidePowerSwitches GENERALDESCRIPTION TheADP190/ADP191arehigh-sideloadswitchesdesignedforoperationfrom1.1Vto3.6V.Theseloadswitchsprovidepowerdomainisolationforextendedpowerbatterylife.Thedevicescontainalowon-resistanceP-channelMOSFETthatsupportsmorethan500mAofcontinuouscu	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AF191	文件：140.52 Kbytes Page：12 Pages	3MScotch-WeldTMStructuralAdhesiveFilm	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
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AM-191PIN	文件：214.33 Kbytes Page：3 Pages	LowNoiseAmplifier,100-600MHz	MACOM Tyco Electronics	MACOM
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AND191CRP	文件：106.98 Kbytes Page：2 Pages	UltraBrightLEDLamps	PURDYPurdy Electronics Corporation 审慎电子	PURDY
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BCR191	文件：490.37 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=22kΩ,R2=22kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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BCR191F	文件：490.37 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=22kΩ,R2=22kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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详细参数

型号：
TIL191A
制造商：
TI
制造商全称：
Texas Instruments
功能描述：
Optocouplers consist of one gallium-arsenide light-emitting diode and one silicon npn phototransistor per channel

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