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TIP117F	文件：42.02 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE.) MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE. FEATURES •HighDCCurrentGain. :hFE=1000(Min.),VCE=-4V,IC=-1A. •LowCollector-EmitterSaturationVoltage. •ComplementarytoTIP112F.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
TIP117F	文件：462.65 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
TIP117G	文件：99.95 Kbytes Page：8 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP117G	文件：148.66 Kbytes Page：8 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP117PNP	文件：271.16 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
TIPP117	文件：87.67 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS PRODUCTINFORMATION Informationiscurrentasofpublicationdate.ProductsconformtospecificationsinaccordancewiththetermsofPowerInnovationsstandardwarranty.Productionprocessingdoesnotnecessarilyincludetestingofallparameters. ●20WPulsedPowerDissipation ●100VCapabi	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TIPP117	文件：555.65 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●20WPulsedPowerDissipation ●100VCapability ●2AContinuousCollectorCurrent ●4APeakCollectorCurrent	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
TLN117	文件：211.39 Kbytes Page：5 Pages	INFRAREDLEDGAASINFRAEDEMITTER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TLN117	文件：245.23 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBAINFRAREDLEDGAASINFRAEDEMITTER Lead(Pb)-Free Opto−ElectoronicSwitches FloppyDiskDrives OpticalMice OpticalTouchSensors •Small−side−viewepoxy−resinpackage •Highradiantintensity:IE=0.8mW/sr(min)atIF=20mA •Half−anglevalue:θ1/2=±15°(typ.) •Idealforuseincombinationwiththefollowingphotodete	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TLN117A	文件：245.23 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBAINFRAREDLEDGAASINFRAEDEMITTER Lead(Pb)-Free Opto−ElectoronicSwitches FloppyDiskDrives OpticalMice OpticalTouchSensors •Small−side−viewepoxy−resinpackage •Highradiantintensity:IE=0.8mW/sr(min)atIF=20mA •Half−anglevalue:θ1/2=±15°(typ.) •Idealforuseincombinationwiththefollowingphotodete	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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