TIL113M中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书
TIL113M规格书详情
特性 Features
■ High Sensitivity to Low Input Drive Current
■ Meets or Exceeds All JEDEC Registered Specifications
■ Safety and Regulatory Approvals:
– UL1577, 4,170 VAC RMS for 1 Minute
■ DIN-EN/IEC60747-5-5, 850 V Peak Working Insulation Voltage
Applications
■ Low Power Logic Circuits
■ Telecommunications Equipment
■ Portable Electronics
■ Solid State Relays
■ Interfacing Coupling Systems of Different Potentials and Impedances
描述 Description
The 4N29M, 4N30M, 4N32M, 4N33M, H11B1M, and TIL113M have a gallium arsenide infrared emitter optically coupled to a silicon planar photodarlington.
产品属性
- 型号：
TIL113M
- 功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Darlington Output
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay Semiconductors
- 输入类型：
DC
- 最大集电极/发射极电压：
70 V
- 最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
- 绝缘电压：
5300 Vrms
- 电流传递比：
100 % to 200 %
- 最大正向二极管电压：
1.65 V
- 最大输入二极管电流：
60 mA
- 最大集电极电流：
100 mA
- 最大功率耗散：
100 mW
- 最大工作温度：
+ 110 C
- 最小工作温度：
- 55 C
- 封装/箱体：
DIP-4
- 封装：
Bulk
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
DIP6 |
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询价 | |||
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FAIRCHILD/仙童 |
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DIP-6 |
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DIP |
10000 |
全新原装公司现货
|
询价 |
