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TIL113中文资料Gallium Arsenide Diode Infrared Source Optically Coupled to a Silicon NPN Darlinrton-Connected Phototransistor数据手册TI规格书

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厂商型号

TIL113

功能描述

Gallium Arsenide Diode Infrared Source Optically Coupled to a Silicon NPN Darlinrton-Connected Phototransistor

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器

数据手册

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更新时间

2026-2-5 16:50:00

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技术参数

  • 型号:

    TIL113

  • 功能描述:

    晶体管输出光电耦合器 Optocouplers

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 输入类型:

    DC

  • 最大集电极/发射极电压:

    70 V

  • 最大集电极/发射极饱和电压:

    0.4 V

  • 绝缘电压:

    5300 Vrms

  • 电流传递比:

    100 % to 200 %

  • 最大正向二极管电压:

    1.65 V

  • 最大输入二极管电流:

    60 mA

  • 最大集电极电流:

    100 mA

  • 最大功率耗散:

    100 mW

  • 最大工作温度:

    + 110 C

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 封装/箱体:

    DIP-4

  • 封装:

    Bulk

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