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TIG067SS数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

TIG067SS

参数属性

TIG067SS 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 400V 150A 8SOIC

功能描述

IGBT,400V,150A,饱和压=3.8V,单 N 沟道
IGBT 400V 150A 8SOIC

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-14 13:31:00

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TIG067SS规格书详情

描述 Description

TIG067SS is an IGBT, 400V, 150A, VCE(sat);3.8V, Single N-Channel for Light-Controlling Flash Applications.

特性 Features

• Low-saturation Voltage
• 4.0V Drive
• Enhansment Type
• Built-in Gate-to-Emitter Protection Diode
• High Speed Switching
• Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance

应用 Application

• Light-controlling Flash units

简介

TIG067SS属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的TIG067SS晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :TIG067SS

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :400

  • IC Max (A)

    :150

  • VCE(sat) Typ (V)

    :3.8

  • VF Typ (V)

    :-

  • Eoff Typ (mJ)

    :-

  • Eon Typ (mJ)

    :-

  • Trr Typ (ns)

    :-

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :-

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :1.2

  • Co-Packaged Diode

    :No

  • Package Type

    :SOIC-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
24+
SOP8
60000
询价
ON Semiconductor
22+
8SOIC
9000
原厂渠道,现货配单
询价
ON(安森美)
2021/2022+
标准封装
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
SANYO
2022+
SOP8
20000
只做原装进口现货.假一罚十
询价
ON(安森美)
2511
标准封装
8000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
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ON/安森美
24+
NA/
13250
原装现货,当天可交货,原型号开票
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ONSEMI
21+
NA
12820
只做原装,质量保证
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9500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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22+
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23+
SOIC-8
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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