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TIG066SS-TL-E数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
TIG066SS-TL-E规格书详情
简介
TIG066SS-TL-E属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的TIG066SS-TL-E晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:TIG066SS-TL-E
- 生产厂家
:ONSEMI
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
:400V
- 脉冲电流 - 集电极 (Icm)
:150A
- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
:5V @ 4V,150A
- 开关能量
:-
- 输入类型
:标准
- 25°C 时 Td(开/关)值
:-
- 测试条件
:-
- 工作温度
:150°C(TJ)
- 安装类型
:表面贴装
- 封装/外壳
:8-SOIC(0.173\,4.40mm 宽)
- 供应商器件封装
:8-SOP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SANYO/三洋 |
24+ |
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SANYO/三洋 |
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SANYO/三洋 |
23+ |
SOP8 |
11500 |
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25+ |
8-SOIC(0.173 4.40mm 宽) |
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