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TIC226E中文资料PDF规格书

TIC226E
厂商型号

TIC226E

功能描述

SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR

文件大小

210.32 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Comset Semiconductor
企业简称

COMSET

中文名称

Comset Semiconductor官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-9 12:02:00

晶体管资料

  • 型号:

    TIC226E

  • 别名:

    TIC226E三极管、TIC226E晶体管、TIC226E晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Triac

  • 性质:

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    500V

  • 最大电流允许值:

    8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BT137/…,MAC222…,TAG224…,T2802…,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    500

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    0

TIC226E规格书详情

DESCRIPTION

This device is a bidirectional triode thyristor (triac) which may be triggered from the off-state to the on-state by either polarityof gate signal with main Terminal 2 at either polarity.

• High current triacs

• 16 A RMS

• 70 A Peak

• Glass Passivated Wafer

• 200 V to 800 V Off-State Voltage

• Max IGTof 50 mA (Quadrants 1-3)

• 125 A peak current

• Compliance to ROHS

产品属性

  • 型号:

    TIC226E

  • 制造商:

    COMSET

  • 制造商全称:

    Comset Semiconductor

  • 功能描述:

    SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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