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TIC108D	文件：208.41 Kbytes Page：4 Pages	P-N-P-N SILICON REVERSE-BLOCKING TRIODE THYRISTORS P-N-P-N SILICON REVERSE-BLOCKING TRIODE THYRISTORS • 5 A Continuous On-State Current • 20 A Surge-Current • Glass Passivated Wafer • 100 V to 800 V Off-State Voltage • Max IGT of 1 mA • Compliance to ROHS 文件：208.41 Kbytes 页数：4 Pages	COMSET	COMSET
TIC108D	文件：162.37 Kbytes Page：8 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIERS SILICON CONTROLLED RECTIFIERS ● 5 A Continuous On-State Current ● 20 A Surge-Current ● Glass Passivated Wafer ● 400 V to 800 V Off-State Voltage ● Max IGT of 1 mA 文件：162.37 Kbytes 页数：8 Pages	POINN	POINN
TIC108D	文件：300 bytes Page：1 Pages	Thyristor	Comset	Comset
TIC108D-S	文件：300 bytes Page：1 Pages	THYRISTOR SCR 400V 5A	Bourns 伯恩斯	Bourns
TIC108D-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶闸管 - SCR 描述：SCR 400V 5A TO220	Bourns Inc.	Bourns Inc.

晶体管资料

型号：
TIC108D
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
50HZ－Thy
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
400V
最大电流允许值：
3.2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
TAG622…,TAG623…,TAG628…,TIC106…,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
400
htest：
999900
atest：
3.2
wtest：
0

技术参数

电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）：
1V
电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）：
1mA
电压 - 通态（Vtm）（最大值）：
1.7V
电流 - 通态（It（AV））（最大值）：
3.2A
电流 - 通态（It（RMS））（最大值）：
5A
电流 - 保持（Ih）（最大值）：
10mA
电流 - 断态（最大值）：
1mA
电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）：
20A @ 50Hz
SCR 类型：
标准恢复型
工作温度：
-40°C ~ 110°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220

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