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TIC108D

P-N-P-N SILICON REVERSE-BLOCKING TRIODE THYRISTORS

P-N-P-N SILICON REVERSE-BLOCKING TRIODE THYRISTORS • 5 A Continuous On-State Current • 20 A Surge-Current • Glass Passivated Wafer • 100 V to 800 V Off-State Voltage • Max IGT of 1 mA • Compliance to ROHS

文件:208.41 Kbytes 页数:4 Pages

COMSET

TIC108D

SILICON CONTROLLED RECTIFIERS

SILICON CONTROLLED RECTIFIERS ● 5 A Continuous On-State Current ● 20 A Surge-Current ● Glass Passivated Wafer ● 400 V to 800 V Off-State Voltage ● Max IGT of 1 mA

文件:162.37 Kbytes 页数:8 Pages

POINN

TIC108D

Thyristor

Comset

TIC108D-S

THYRISTOR SCR 400V 5A

Bourns

伯恩斯

TIC108D-S

Package:TO-220-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶闸管 - SCR 描述:SCR 400V 5A TO220

Bourns Inc.

Bourns Inc.

技术参数

  • 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):

    1V

  • 电流 - 栅极触发(Igt)(最大值):

    1mA

  • 电压 - 通态(Vtm)(最大值):

    1.7V

  • 电流 - 通态(It(AV))(最大值):

    3.2A

  • 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):

    5A

  • 电流 - 保持(Ih)(最大值):

    10mA

  • 电流 - 断态(最大值):

    1mA

  • 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):

    20A @ 50Hz

  • SCR 类型:

    标准恢复型

  • 工作温度:

    -40°C ~ 110°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TI
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更多TIC108D供应商 更新时间2025-10-4 17:00:00