IGBT 芯片

额定电压：1200V\n额定电流：200A\n芯片代次：6thRTMOS ● 嵌入式发射极沟槽栅，软穿通\n● 低通态损耗\n● 低开关损耗\n● 易并联使用\n●Tvjmax=175℃;

CTSC

中国中车

IGBT 芯片

额定电压：1200V\n额定电流：\n芯片代次： ● 中车 IGBT 芯片采用精细沟槽元胞设计结合软穿通技术，具有低导通损耗与开关损耗的特点，\n● 提供产品覆盖 750V-1200V 电压、40A-375A 电流范围。;

CTSC

中国中车

IGBT 芯片

额定电压：1200V\n额定电流：150A\n芯片代次：5thTMOS ● 沟槽栅，软穿通\n● 低开关损耗\n● 易并联使用\n●Tvjmax=175℃;

CTSC

中国中车

包装：散装 类别：连接器，互连器件 线对板 描述：TERM BLK 12P SIDE ENTRY 5MM PCB

Amphenol Anytek

包装：散装 类别：连接器，互连器件 线对板 描述：TERM BLK 12P SIDE ENT 7.5MM PCB

Amphenol Anytek

包装：散装 类别：连接器，互连器件 线对板 描述：TERM BLK 12P SIDE ENT 7.62MM PCB

Amphenol Anytek