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THGBMHG6C1LBAIL	文件：316.31 Kbytes Page：2 Pages	Cost Effective Mass Storage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
THGBMHG6C1LBAIL	文件：1.74255 Mbytes Page：33 Pages	TOSHIBA e-MMC Module	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
THGBMHG6C1LBAIL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：153-WFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 64GBIT EMMC 153WFBGA	Kioxia America, Inc. Kioxia America, Inc.	Kioxia America, Inc.
H6C1	文件：108.27 Kbytes Page：4 Pages	500mWZenerDiode1.7to37.2Volts Features •LowLeakage •LowZenerImpedance •HighReliability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
HZ6C1	文件：45.1 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司
HZ6C1	文件：55.92 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
HZ6C1	文件：261.899 Kbytes Page：4 Pages	SILICONEPITAXIALPLANERZENERDIODES forstabilizedpowersupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司
HZ6C1	文件：385.79 Kbytes Page：4 Pages	Glass-EncapsulateDiodes	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司
HZS6C1	文件：56.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
HZU6C1L	文件：77.04 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforLowNoiseApplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
RKZ6C1KD	文件：100.22 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mW. •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •LLDPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
THGBMFG6C1LBAIL	文件：1.35271 Mbytes Page：33 Pages	eMMCModule	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
THGBMHG6C1LBAWL	文件：316.31 Kbytes Page：2 Pages	CostEffectiveMassStorage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝

产品属性

产品编号：
THGBMHG6C1LBAIL
制造商：
Kioxia America, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
e•MMC™
包装：
散装
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存 - NAND
存储容量：
64Gb（8G x 8）
存储器接口：
eMMC
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-25°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
153-WFBGA
供应商器件封装：
153-WFBGA（11.5x13）
描述：
IC FLASH 64GBIT EMMC 153WFBGA

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深圳市能元时代电子有限公司	THGBMHG6C1LBAIL	25027	23+	TOSHIBA东芝	25188	##公司100%原装现货,假一罚十!可含税13%免费提供样	询价
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更多THGBMHG6C1LBAIL供应商更新时间2024-4-26 14:08:00

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