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THBT20011DRL电路保护的TVS-晶闸管规格书PDF中文资料

THBT20011DRL
厂商型号

THBT20011DRL

参数属性

THBT20011DRL 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-晶闸管;产品描述:THYRISTOR 180V 30A 8SOIC

功能描述

TRIPOLAR OVERVOLTAGE PROTECTION FOR TELECOM LINE
THYRISTOR 180V 30A 8SOIC

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

文件大小

345.06 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-4 20:00:00

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THBT20011DRL规格书详情

THBT20011DRL属于电路保护的TVS-晶闸管。由意法半导体集团制造生产的THBT20011DRLTVS - 晶闸管基于晶闸管的瞬态电压抑制 (TVS) 器件可用于提供过压保护,在正常工作条件下近似于开路。在这些器件两端施加超过某个特定值的电压(称为击穿电压),可使它们进入近似于短路的导通状态。?这种状态一直持续至流过器件的电流因电路中的一些外部影响而降低到称为“保持电流”的最小值以下。

DESCRIPTION

Dedicated to telecommunication equipment protection, these devices provide a triple bidirectional protection function.

They ensure the same protection capability with the same breakdown voltage both in longitudinal mode and transversal mode.

■ BIDIRECTIONAL CROWBAR PROTECTION BETWEEN TIP AND GND, RING AND GND AND BETWEEN TIP AND RING.

■ PEAK PULSE CURRENT : IPP = 30A for 10/1000µs surge.

■ HOLDING CURRENT : IH = 150mA.

■ AVAILABLE IN SO8 PACKAGES.

■ LOW DYNAMIC BREAKOVER VOLTAGE. FEATURES

COMPLIES WITH BELLCORE STANDARDS :

TR-NWT-001089: 10/1000µs 1000V

2/10µs 2500V

(first level)

2/10µs 5000V

产品属性

更多
  • 产品编号:

    THBT20011DRL

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 晶闸管

  • 系列:

    THBT, TRISIL™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 电压 - 导通:

    290V

  • 电压 - 断态:

    180V

  • 电容:

    80pF

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 描述:

    THYRISTOR 180V 30A 8SOIC

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